IRL8113S Todos los transistores

 

IRL8113S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRL8113S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 110 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 105 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.25 V

Carga de compuerta (Qg): 23 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.006 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2PAK

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IRL8113S Datasheet (PDF)

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IRL8113S
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PD - 95582 IRL8113PbF IRL8113SPbF IRL8113LPbF Applications HEXFET® Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power VDSS RDS(on) max Qg (Typ.) l Lead-Free 30V 6.0m 23nC Benefits l Low RDS(on) at 4.5V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current TO-220AB D2Pak TO-262 IRL8113 IRL8113S IRL8113L Absolute Maximum

4.1. irl8114pbf.pdf Size:423K _international_rectifier

IRL8113S
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IRL8114PbF HEXFET® Power MOSFET Application  Optimized for UPS/Inverter Applications VDSS 30V D  Low Voltage Power Tools RDS(on) typ. 3.5m max 4.5m G Benefits ID (Silicon Limited) 120A  Low RDS(on) at 4.5V VGS S  Low Gate Charge ID (Package Limited) 90A  Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA  Lead-Free

 

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