IRLH5030 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLH5030
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 44 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLH5030

IRLH5030 Datasheet (PDF)

..1. Size:265K international rectifier
irlh5030pbf.pdf

IRLH5030PbFHEXFET Power MOSFETVDS 100 VRDS(on) max 9.9 m(@VGS = 4.5V)Qg (typical) 44 nCRG (typical) 1.2 ID 88 A(@Tmb = 25C) PQFN 5X6 mmApplications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersBenefitsFeaturesLow RDSon (9.0m) Lower Conduction LossesLow Thermal Resistance t

..2. Size:252K infineon
irlh5030pbf.pdf

7.1. Size:253K international rectifier
irlh5034pbf.pdf

IRLH5034PbFHEXFET Power MOSFETVDS 40 VRDS(on) max 3.2 m(@VGS = 4.5V)Qg (typical) 43 nCRG (typical) 1.2 ID 100 A(@Tmb = 25C)PQFN 5X6 mmApplications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersFeatures BenefitsLow RDSon (3.2m @ Vgs = 4.5V ) Lower Conduction LossesLow The

7.2. Size:222K international rectifier
irlh5036pbf.pdf

IRLH5036PbFHEXFET Power MOSFETVDS 60 VRDS(on) max 5.5 m(@VGS = 4.5V)Qg (typical) 44 nCRG (typical) 1.2 ID 100 APQFN 5X6 mm(@Tmb = 25C)Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow RDSon (

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