IRLH5034 Todos los transistores

 

IRLH5034 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLH5034

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 860 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0024 Ohm

Encapsulados: PQFN5X6

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IRLH5034 datasheet

 ..1. Size:253K  international rectifier
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IRLH5034

IRLH5034PbF HEXFET Power MOSFET VDS 40 V RDS(on) max 3.2 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 43 nC RG (typical) 1.2 ID 100 A (@Tmb = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features Benefits Low RDSon ( 3.2m @ Vgs = 4.5V ) Lower Conduction Losses Low The

 7.1. Size:222K  international rectifier
 irlh5036pbf.pdf pdf_icon

IRLH5034

IRLH5036PbF HEXFET Power MOSFET VDS 60 V RDS(on) max 5.5 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 44 nC RG (typical) 1.2 ID 100 A PQFN 5X6 mm (@Tmb = 25 C) Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (

 7.2. Size:252K  international rectifier
 irlh5030pbf.pdf pdf_icon

IRLH5034

IRLH5030PbF HEXFET Power MOSFET VDS 100 V RDS(on) max 9.9 m (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 44 nC RG (typical) 1.2 ID 88 A (@Tmb = 25 C) PQFN 5X6 mm Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost Converters Benefits Features Low RDSon ( 9.0m ) Lower Conduction Losses Low Thermal Resistance t

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