IRLH5036 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLH5036

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 16 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 44 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0044 Ohm

Empaquetado / Estuche: PQFN5X6

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IRLH5036 Datasheet (PDF)

1.1. irlh5036pbf.pdf Size:222K _international_rectifier

IRLH5036PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 60 V RDS(on) max 5.5 m Ω (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 44 nC RG (typical) 1.2 Ω ID 100 A PQFN 5X6 mm (@Tmb = 25°C) Applications • Secondary Side Synchronous Rectification • Inverters for DC Motors • DC-DC Brick Applications • Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (< 5.5 mΩ @ Vgs = 4.5V ) Lower Cond

3.1. irlh5030pbf.pdf Size:265K _international_rectifier

IRLH5030PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 100 V RDS(on) max 9.9 mΩ (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 44 nC RG (typical) 1.2 Ω ID 88 A (@Tmb = 25°C) PQFN 5X6 mm Applications • Secondary Side Synchronous Rectification • Inverters for DC Motors • DC-DC Brick Applications • Boost Converters Benefits Features Low RDSon (≤9.0mΩ) Lower Conduction Losses Low Thermal Resistance t

3.2. irlh5034pbf.pdf Size:253K _international_rectifier

IRLH5034PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 40 V RDS(on) max 3.2 mΩ (@VGS = 4.5V) Qg (typical) 43 nC RG (typical) 1.2 Ω ID 100 A (@Tmb = 25°C) PQFN 5X6 mm Applications • Secondary Side Synchronous Rectification • Inverters for DC Motors • DC-DC Brick Applications • Boost Converters Features Benefits Low RDSon (≤3.2mΩ @ Vgs = 4.5V ) Lower Conduction Losses Low The

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