IRLH5036 Todos los transistores

 

IRLH5036 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLH5036
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0044 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN5X6
 

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IRLH5036 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  international rectifier
 irlh5036pbf.pdf pdf_icon

IRLH5036

IRLH5036PbFHEXFET Power MOSFETVDS 60 VRDS(on) max 5.5 m(@VGS = 4.5V)Qg (typical) 44 nCRG (typical) 1.2 ID 100 APQFN 5X6 mm(@Tmb = 25C)Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow RDSon (

 7.1. Size:253K  international rectifier
 irlh5034pbf.pdf pdf_icon

IRLH5036

IRLH5034PbFHEXFET Power MOSFETVDS 40 VRDS(on) max 3.2 m(@VGS = 4.5V)Qg (typical) 43 nCRG (typical) 1.2 ID 100 A(@Tmb = 25C)PQFN 5X6 mmApplications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersFeatures BenefitsLow RDSon (3.2m @ Vgs = 4.5V ) Lower Conduction LossesLow The

 7.2. Size:252K  international rectifier
 irlh5030pbf.pdf pdf_icon

IRLH5036

IRLH5030PbFHEXFET Power MOSFETVDS 100 VRDS(on) max 9.9 m(@VGS = 4.5V)Qg (typical) 44 nCRG (typical) 1.2 ID 88 A(@Tmb = 25C) PQFN 5X6 mmApplications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersBenefitsFeaturesLow RDSon (9.0m) Lower Conduction LossesLow Thermal Resistance t

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History: BF960

 

 
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