IRLHM630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLHM630
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
Paquete / Cubierta: PQFN3.3X3.3
Búsqueda de reemplazo de IRLHM630 MOSFET
IRLHM630 Datasheet (PDF)
irlhm630pbf.pdf
IRLHM630PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V VGS 12 V RDS(on) max 3.5 (@ VGS = 4.5V) m(@ VGS = 2.5V) 4.5 Qg (typical) 41 nC ID 40 APQFN 3.3 x 3.3 mm (@TC (Bottom) = 25C) Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Secondary Side Synchronous Rectification MOSFET Features Benefits Low RDSon (
irlhm630trpbf.pdf
IRLHM630PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V VGS 12 V RDS(on) max 3.5 (@ VGS = 4.5V) m(@ VGS = 2.5V) 4.5 Qg (typical) 41 nC ID 40 APQFN 3.3 x 3.3 mm (@TC (Bottom) = 25C) Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Secondary Side Synchronous Rectification MOSFET Features Benefits Low RDSon (
irlhm620pbf.pdf
PD - 97565AIRLHM620PbFHEXFET Power MOSFETVDS20 VVGS max12 VD 5 4 GRDS(on) max 2.5 m D 6 3 S(@VGS = 4.5V)D 7 2 SRDS(on) max D 8 1 S3.5 m(@VGS = 2.5V)3.3mm x 3.3mm PQFNQg (typical) 52 nCID 40 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Secondary Side Synchronous Rectification MOSFETFeatures and Benefi
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History: AM3413
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