IRLML2030 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLML2030
   Código: J*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLML2030

IRLML2030 Datasheet (PDF)

..1. Size:266K international rectifier
irlml2030pbf.pdf

PD - 97432IRLML2030TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VVGS Max G 1 20 VRDS(on) max 3 D100 m(@VGS = 10V)RDS(on) max 2SMicro3TM (SOT-23)154 mIRLML2030TRPbF(@VGS = 4.5V)Application(s) Load/ System SwitchFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesIndustry-standard pinout Multi-vendor compatibilityCompatible with existing Surface Mount Techniques results in

0.1. Size:259K international rectifier
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0.2. Size:266K infineon
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0.3. Size:161K tysemi
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Product specificationIRLML2030TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VVGS Max G 1 20 VRDS(on) max 3 D100 m(@VGS = 10V)RDS(on) max 2SMicro3TM (SOT-23)154 mIRLML2030TRPbF(@VGS = 4.5V)Application(s) Load/ System SwitchFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesIndustry-standard pinout Multi-vendor compatibilityCompatible with existing Surface Mount Techniques

0.4. Size:836K cn vbsemi
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IRLML2030TRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: