IRLML2060 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLML2060
   Código: N*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.67 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLML2060

IRLML2060 Datasheet (PDF)

..1. Size:218K international rectifier
irlml2060pbf.pdf

PD - 97448AIRLML2060TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS60 VVGS Max 16 VRDS(on) max 480 m(@VGS = 10V)RDS(on) max Micro3TM (SOT-23)640 mIRLML2060TRPbF(@VGS = 4.5V)Application(s)Load/ System SwitchFeatures and BenefitsFeatures BenefitsIndustry-standard pinout Multi-vendor compatibilityCompatible with existing Surface Mount Techniques results in Easie

0.1. Size:199K international rectifier
irlml2060trpbf.pdf

0.2. Size:199K infineon
irlml2060trpbf.pdf

0.3. Size:1270K cn vbsemi
irlml2060tr.pdf

IRLML2060TRwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.085 at VGS = 10 V 4.060 2.1 nC 100 % Rg Tested0.096 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Battery Switch DC/DC ConverterDTO-236(SOT23)

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Liste

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