IRLML6346 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLML6346
   Código: V*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLML6346

IRLML6346 Datasheet (PDF)

..1. Size:230K international rectifier
irlml6346pbf.pdf

PD - 97584AIRLML6346TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VVGS Max 12 VRDS(on) max 63 m(@VGS = 4.5V)RDS(on) max Micro3TM (SOT-23)80 mIRLML6346TRPbF(@VGS = 2.5V)Application(s)Load/ System SwitchFeatures and BenefitsFeatures BenefitsIndustry-standard SOT-23 Package results in Multi-vendor compatibilityRoHS compliant containing no lead, no bromide an

0.1. Size:212K international rectifier
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0.2. Size:212K infineon
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0.3. Size:127K tysemi
irlml6346trpbf.pdf

Product specificationIRLML6346TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VVGS Max 12 VRDS(on) max 63 m(@VGS = 4.5V)RDS(on) max Micro3TM (SOT-23)80 mIRLML6346TRPbF(@VGS = 2.5V)Application(s)Load/ System SwitchFeatures and BenefitsFeatures BenefitsIndustry-standard SOT-23 Package results in Multi-vendor compatibilityRoHS compliant containing no lead, no

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Liste

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