AUIRF1010EZS Todos los transistores

 

AUIRF1010EZS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUIRF1010EZS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 140 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 84 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 58 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0085 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AUIRF1010EZS

 

AUIRF1010EZS Datasheet (PDF)

5.1. auirf5210s.pdf Size:236K _international_rectifier

AUIRF1010EZS
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AUTOMOTIVE GRADE AUIRF5210S Features HEXFET® Power MOSFET l Advanced Planar Technology l P-Channel MOSFET D V(BR)DSS -100V l Low On-Resistance l Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 60m G l 175°C Operating Temperature S ID -38A l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * Desc

Otros transistores... IRLU8729 , IRLU8743 , IRLZ44Z , IRLZ44ZL , IRLZ44ZS , SI4420DY , AUIRF1010EZ , AUIRF1010EZL , IRF740 , AUIRF1010Z , AUIRF1010ZL , AUIRF1010ZS , AUIRF1018E , AUIRF1018ES , AUIRF1324 , AUIRF1324S , AUIRF1324S-7P .

 
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Liste

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MOSFET: SPA07N60C2 | SPB07N60C2 | SPP07N60C2 | SI2300A | NTD4809NHG | NTD4809NH | IPU09N03LA | IPS09N03LA | IPF09N03LA | IPD09N03LA | BSC0906NS | 2SK0123 | 2SJ455 | R9522 | R9521 |

 

 

 
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