AUIRF1404Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AUIRF1404Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 100 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1030 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AUIRF1404Z
AUIRF1404Z Datasheet (PDF)
auirf1404z auirf1404zs auirf1404zl.pdf
AUIRF1404Z AUIRF1404ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1404ZL HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 3.7m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 180A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 160A Lead-Free, RoHS Compliant Auto
auirf1404zstrl.pdf
PD - 97460AUTOMOTIVE GRADEAUIRF1404ZAUIRF1404ZSAUIRF1404ZLFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Low On-ResistanceDV(BR)DSS 40V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) max.3.7m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGID (Silicon Limited) Lead-Free, RoHS Compliant 180A Automotive Qualified *SID (Package Limited)160A
auirf1404.pdf
PD-97684AUTOMOTIVE GRADEAUIRF1404FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Low On-ResistanceDV(BR)DSS40Vl Dynamic dv/dt RatingRDS(on) typ.3.5ml 175C Operating Temperature max 4.0ml Fast SwitchingGID (Silicon Limited)202Al Fully Avalanche RatedSl Repetitive Avalanche AllowedID (Package Limited)160Aup to Tjmaxl Lead-Free
auirf1404s auirf1404l.pdf
AUIRF1404S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1404L HEXFET Power MOSFET Features Advanced Planar Technology VDSS 40V Dynamic dv/dt Rating RDS(on) typ. 3.5m 175C Operating Temperature max. 4.0m Fast Switching ID (Silicon Limited) 162A Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-F
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History: KTK5162S
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