AUIRF7478Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AUIRF7478Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V
Corriente continua de drenaje (Id): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.026 Ohm
Empaquetado / Estuche: SO8
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AUIRF7478Q Datasheet (PDF)
5.1. auirf5210s.pdf 
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AUTOMOTIVE GRADE AUIRF5210S Features HEXFET® Power MOSFET l Advanced Planar Technology l P-Channel MOSFET D V(BR)DSS -100V l Low On-Resistance l Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 60m G l 175°C Operating Temperature S ID -38A l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * Desc
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