AUIRFL014N Todos los transistores

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AUIRFL014N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUIRFL014N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.16 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT223

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AUIRFL014N Datasheet (PDF)

5.1. auirf5210s.pdf Size:236K _international_rectifier

AUIRFL014N
AUIRFL014N

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF5210S Features HEXFET® Power MOSFET l Advanced Planar Technology l P-Channel MOSFET D V(BR)DSS -100V l Low On-Resistance l Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 60m G l 175°C Operating Temperature S ID -38A l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * Desc

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