BFR30 Todos los transistores

 

BFR30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFR30
   Código: M1_M1p
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.01 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.5 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2000 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BFR30 Datasheet (PDF)

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BFR30

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BFR30LT1/DJFET AmplifiersBFR30LT1NChannelBFR31LT12 SOURCE33GATE121 DRAINCASE 31808, STYLE 10SOT23 (TO236AB)MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDS 25 VdcGateSource Voltage VGS 25 VdcTHERMAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol Max UnitTotal Device Diss

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BFR30

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFR30; BFR31N-channel field-effect transistorsProduct specification 1997 Dec 05Supersedes data of April 1991File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel field-effect transistors BFR30; BFR31DESCRIPTIONPlanar epitaxial symmetrical junction N-channel3handbook, halfpagefield-effect transist

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BFR30

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFR30; BFR31N-channel field-effect transistorsProduct specification 1997 Dec 05Supersedes data of April 1991NXP Semiconductors Product specification N-channel field-effect transistors BFR30; BFR31DESCRIPTIONPlanar epitaxial symmetrical junction N-channel 3handbook, halfpagefield-effect transistor in a plastic SOT23 package.dgsA

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BFR30

BFR30LT1, BFR31LT1JFET AmplifiersN-ChannelFeatures Pb-Free Package is Availablehttp://onsemi.com2 SOURCE3GATEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit 1 DRAIN Drain-Source Voltage VDS 25 Vdc

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History: TMPF10N65 | FDPF16N50

 

 
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