BFR31 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BFR31
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.005 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5000 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BFR31

BFR31 Datasheet (PDF)

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MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BFR30LT1/DJFET AmplifiersBFR30LT1NChannelBFR31LT12 SOURCE33GATE121 DRAINCASE 31808, STYLE 10SOT23 (TO236AB)MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitDrainSource Voltage VDS 25 VdcGateSource Voltage VGS 25 VdcTHERMAL CHARACTERISTICSCharacteristic Symbol Max UnitTotal Device Diss

0.1. Size:77K philips
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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFR30; BFR31N-channel field-effect transistorsProduct specification 1997 Dec 05Supersedes data of April 1991File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel field-effect transistors BFR30; BFR31DESCRIPTIONPlanar epitaxial symmetrical junction N-channel3handbook, halfpagefield-effect transist

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DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFR30; BFR31N-channel field-effect transistorsProduct specification 1997 Dec 05Supersedes data of April 1991NXP Semiconductors Product specification N-channel field-effect transistors BFR30; BFR31DESCRIPTIONPlanar epitaxial symmetrical junction N-channel 3handbook, halfpagefield-effect transistor in a plastic SOT23 package.dgsA

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BFR30LT1, BFR31LT1JFET AmplifiersN-ChannelFeatures Pb-Free Package is Availablehttp://onsemi.com2 SOURCE3GATEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit 1 DRAIN Drain-Source Voltage VDS 25 Vdc

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