AUIRFS4321 Todos los transistores

 

AUIRFS4321 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AUIRFS4321
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 350 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 71 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET AUIRFS4321

 

AUIRFS4321 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:334K  international rectifier
auirfs4310trl.pdf

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PD - 96324AUTOMOTIVE GRADEAUIRFS4310AUIRFSL4310FeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyV(BR)DSSl Ultra Low On-Resistance 100VDl 175C Operating TemperatureRDS(on) typ.5.6ml Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxmax. 7.0mGl Lead-Free, RoHS CompliantID (Silicon Limited) 130A l Automotive Qualified *SID (Package L

 6.2. Size:672K  infineon
auirfs4310z.pdf

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AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS4310Z HEXFET Power MOSFET Features VDSS 100V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 4.8m Ultra Low On-Resistance max. Dynamic dv/dt Rating 6.0m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 127A Fast Switching ID (Package Limited) 120A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS

 6.3. Size:712K  infineon
auirfs4310 auirfsl4310.pdf

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AUIRFS4310 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFSL4310 HEXFET Power MOSFET Features VDSS 100V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 5.6m Ultra Low On-Resistance max. 7.0m 175C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 130A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Au

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