AUIRFU5305 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUIRFU5305

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: IPAK

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AUIRFU5305 datasheet

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AUIRFU5305

AUIRFR5305 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU5305 Features VDSS -55V Advanced Planar Technology Low On-Resistance RDS(on) max. 0.065 Dynamic dv/dt Rating ID -31A 175 C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated D Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * S S D

 7.1. Size:285K  international rectifier
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AUIRFU5305

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR540Z AUIRFU540Z HEXFET Power MOSFET VDSS 100V D D RDS(on) typ. 22.5m S max. 28.5m S D G G G ID 35A D-Pak I-Pak S AUIRFR540Z AUIRFU540Z Applications l Automatic Voltage Regulator (AVR) GDS l Solenoid Injection Gate Drain Source l Body Control l Low Power Automotive Applications Standard Pack Base part number Package Type Orderable Part Number

 7.2. Size:532K  international rectifier
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AUIRFU5305

AUIRFR5505 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU5505 Features VDSS -55V Advanced Planar Technology Low On-Resistance RDS(on) max. 0.11 P-Channel ID -18A Dynamic dv/dt Rating 150 C Operating Temperature Fast Switching D Fully Avalanche Rated D Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualifie

 7.3. Size:725K  infineon
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AUIRFU5305

AUIRFR540Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU540Z HEXFET Power MOSFET Application VDSS 100V Automatic Voltage Regulator (AVR) RDS(on) typ. 22.5m Solenoid Injection Body Control max. 28.5m Low Power Automotive Applications ID 35A D D Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET S Power MOSFET utilizes the lates

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