AUIRFZ24NL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUIRFZ24NL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: TO262

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AUIRFZ24NL datasheet

 ..1. Size:641K  infineon
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AUIRFZ24NL

 8.1. Size:263K  international rectifier
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AUIRFZ24NL

PD - 97621 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFZ34N Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology l Low On-Resistance D V(BR)DSS 55V l Dynamic dV/dT Rating l 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 0.040 G l Fast Switching l Fully Avalanche Rated S ID 29A l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified* D Description

 8.2. Size:327K  international rectifier
 auirfz44zstrl.pdf pdf_icon

AUIRFZ24NL

PD - 97543 AUIRFZ44Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRFZ44ZS Features Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature D V(BR)DSS 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to RDS(on) max. 13.9m Tjmax G Lead-Free, RoHS Compliant ID 51A S Automotive Qualified * D Description D Specifically

 8.3. Size:245K  international rectifier
 auirfz46nl.pdf pdf_icon

AUIRFZ24NL

PD - 96434 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFZ46NS AUIRFZ46NL Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Planar Technology l Low On-Resistance V(BR)DSS D 55V l Dynamic dV/dT Rating l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) max. 16.5m l Fully Avalanche Rated G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID(Silicon Limited) 53A l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualifi

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