AUIRL3705NS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUIRL3705NS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 89 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 870 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO263

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AUIRL3705NS datasheet

 4.1. Size:1024K  international rectifier
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AUIRL3705NS

PD - 96352 AUTOMOTIVE GRADE AUIRL3705N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology D Logic-Level Gate Drive V(BR)DSS 55V Dynamic dV/dT Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 0.01 Fast Switching G Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID S 89A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Description S Sp

 5.1. Size:378K  international rectifier
 auirl3705zstrl.pdf pdf_icon

AUIRL3705NS

PD - 96345 AUTOMOTIVE GRADE AUIRL3705Z AUIRL3705ZS AUIRL3705ZL Features HEXFET Power MOSFET l Logic Level V(BR)DSS 55V D l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 6.5m l 175 C Operating Temperature l Fast Switching max. 8.0m G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Silicon Limited) 86A l Lead-Free, RoHS Compliant S l Automotiv

 5.2. Size:759K  infineon
 auirl3705z auirl3705zs auirl3705zl.pdf pdf_icon

AUIRL3705NS

AUIRL3705Z AUIRL3705ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRL3705ZL HEXFET Power MOSFET Features VDSS 55V Logic Level Advanced Process Technology RDS(on) typ. 6.5m Ultra Low On-Resistance max. 8.0m 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 86A Fast Switching ID (Package Limited) 75A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Le

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