IRF7706G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7706G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.51 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 339 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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IRF7706G datasheet

 ..1. Size:234K  international rectifier
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IRF7706G

PD-96143A IRF7706GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l P-Channel MOSFET VDSS RDS(on) max ID l Very Small SOIC Package -30V 22m @VGS = -10V -7.0A l Low Profile (

 7.1. Size:152K  international rectifier
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IRF7706G

PD -94003 IRF7706 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -30V 22m @VGS = -10V -7.0A Very Small SOIC Package 36m @VGS = -4.5V -5.6A Low Profile (

 7.2. Size:238K  international rectifier
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IRF7706G

PD-96023A IRF7706PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l P-Channel MOSFET -30V 22m @VGS = -10V -7.0A l Very Small SOIC Package 36m @VGS = -4.5V -5.6A l Low Profile (

 8.1. Size:141K  international rectifier
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IRF7706G

PD - 93940 IRF7701 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET 0.011@VGS = -4.5V -10A Very Small SOIC Package -12V 0.015@VGS = -2.5V -8.5A Low Profile (

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