IRFTS9342 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFTS9342
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 133 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFTS9342
IRFTS9342 Datasheet (PDF)
irfts9342pbf.pdf
PD - 96411AIRFTS9342PbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 VA1 6D DVGS max20 VRDS(on) max 2540 m DD(@VGS = -10V)RDS(on) max 34G S66 m(@VGS = -4.5V)TSOP-6Qg typ12nCTop ViewID -5.8 A(@TA= 25C)Applicationsl Battery operated DC motor inverter MOSFETl System/Load SwitchFeatures and BenefitsFeatures BenefitsIndustry-Standard TSOP
irfts8342pbf.pdf
PD - 97728AIRFTS8342PbFHEXFET Power MOSFETVDS30 VVGS20 VRDS(on) max 19 m(@VGS = 10V)RDS(on) max 29 m(@VGS = 4.5V)TSOP-6Qg (typical) 4.8 nCID8.2 A(@TA = 25C)ApplicationsSystem/Load SwitchFeatures and BenefitsFeatures Resulting BenefitsIndustry-Standard TSOP-6 Package Multi-Vendor CompatibilityRoHS Compliant Containing no Lead,
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Liste
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