IRFTS9342 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFTS9342

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSOP6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFTS9342

IRFTS9342 Datasheet (PDF)

1.1. irfts9342pbf.pdf Size:218K _upd

PD - 96411A IRFTS9342PbF HEXFET® Power MOSFET VDS -30 V A 1 6 D D VGS max 20 ± V RDS(on) max 2 5 40 mΩ D D (@VGS = -10V) RDS(on) max 3 4 G S 66 mΩ (@VGS = -4.5V) TSOP-6 Qg typ 12 nC Top View ID -5.8 A (@TA= 25°C) Applications l Battery operated DC motor inverter MOSFET l System/Load Switch Features and Benefits Features Benefits Industry-Standard TSOP

5.1. irfts8342pbf.pdf Size:214K _upd

PD - 97728A IRFTS8342PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 30 V VGS 20 ± V RDS(on) max 19 m (@VGS = 10V) RDS(on) max 29 m (@VGS = 4.5V) TSOP-6 Qg (typical) 4.8 nC ID 8.2 A (@TA = 25°C) Applications System/Load Switch Features and Benefits Features Resulting Benefits Industry-Standard TSOP-6 Package Multi-Vendor Compatibility RoHS Compliant Containing no Lead,

5.2. irfts8342pbf.pdf Size:231K _international_rectifier