IRFTS9342 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFTS9342
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 5.8 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm
Empaquetado / Estuche: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFTS9342
IRFTS9342 Datasheet (PDF)
1.1. irfts9342pbf.pdf 
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PD - 96411A IRFTS9342PbF HEXFET® Power MOSFET VDS -30 V A 1 6 D D VGS max 20 ± V RDS(on) max 2 5 40 mΩ D D (@VGS = -10V) RDS(on) max 3 4 G S 66 mΩ (@VGS = -4.5V) TSOP-6 Qg typ 12 nC Top View ID -5.8 A (@TA= 25°C) Applications l Battery operated DC motor inverter MOSFET l System/Load Switch Features and Benefits Features Benefits Industry-Standard TSOP
5.1. irfts8342pbf.pdf Size:214K _upd
PD - 97728A IRFTS8342PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 30 V VGS 20 ± V RDS(on) max 19 m (@VGS = 10V) RDS(on) max 29 m (@VGS = 4.5V) TSOP-6 Qg (typical) 4.8 nC ID 8.2 A (@TA = 25°C) Applications System/Load Switch Features and Benefits Features Resulting Benefits Industry-Standard TSOP-6 Package Multi-Vendor Compatibility RoHS Compliant Containing no Lead,
5.2. irfts8342pbf.pdf Size:231K _international_rectifier
PD - 97728A IRFTS8342PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 30 V VGS 20 ± V RDS(on) max 19 m (@VGS = 10V) RDS(on) max 29 m (@VGS = 4.5V) TSOP-6 Qg (typical) 4.8 nC ID 8.2 A (@TA = 25°C) Applications System/Load Switch Features and Benefits Features Resulting Benefits Industry-Standard TSOP-6 Package Multi-Vendor Compatibility RoHS Compliant Containing no Lead,
Otros transistores... IRF9335 , IRF9388 , IRF9392 , IRF9393 , IRFH9310 , IRFHM9331 , IRFHS9301 , IRFR9024NC , 2SK4106 , IRLHS2242 , IRLIB9343 , IRLML2244 , IRLML2246 , IRLML5203 , IRLML9301 , IRLML9303 , IRLR9343 .
