BSP92 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSP92
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 240 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
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BSP92 Datasheet (PDF)
bsp92.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP92P-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationP-channel enhancement mode verticalBSP92D-MOS transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Low threshold voltage VGS(th)SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Direct interf
bsp92p.pdf
BSP92PSIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -250 V P-ChannelRDS(on) 12 Enhancement modeID -0.26 A Logic LevelPG-SOT223 dv/dt ratedDrain4pin 2/4 Qualified according to AEC Q101 Gatepin13Source2pin 3 1VPS05163Type Package Pb-free Tape and Reel Information MarkingPG-SOT223 YesBSP92P L6327: 10
Otros transistores... BS170 , BS170F , BS170P , BS250F , BS250P , BS270 , BSN254 , BSN254A , IRFP450 , BSR56 , BSR57 , BSR58 , BSS100 , BSS110 , BSS123 , BSS123A , BSS138 .
Liste
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