IRLML9301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLML9301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLML9301

IRLML9301 Datasheet (PDF)

0.1. Size:190K international rectifier
irlml9301trpbf.pdf

PD - 96310CIRLML9301TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 VVGS Max 20 V G 1RDS(on) max 64 m 3 D(@VGS = -10V)RDS(on) max S 2103 m Micro3TM (SOT-23)(@VGS = -4.5V)IRLML9301TRPbFApplication(s) System/Load SwitchFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDS(on) ( 64m) Lower switching lossesIndustry-standard pinout Multi-vendor compatibilityCompatibl

0.2. Size:194K infineon
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Product specificationIRLML9301TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 VVGS Max 20 V G 1RDS(on) max 64 m 3 D(@VGS = -10V)RDS(on) max S 2103 m Micro3TM (SOT-23)(@VGS = -4.5V)IRLML9301TRPbFApplication(s) System/Load SwitchFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDS(on) ( 64m) Lower switching lossesIndustry-standard pinout Multi-vendor compatibility

0.4. Size:1536K cn vbsemi
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IRLML9301TRwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT

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