IRLML9301 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLML9301  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm

Encapsulados: SOT23

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IRLML9301 datasheet

 0.1. Size:194K  international rectifier
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IRLML9301

PD - 96310C IRLML9301TRPbF HEXFET Power MOSFET VDS -30 V VGS Max 20 V G 1 RDS(on) max 64 m 3 D (@VGS = -10V) RDS(on) max S 2 103 m Micro3TM (SOT-23) (@VGS = -4.5V) IRLML9301TRPbF Application(s) System/Load Switch Features and Benefits Benefits Features Low RDS(on) ( 64m ) Lower switching losses Industry-standard pinout Multi-vendor compatibility Compatibl

 0.2. Size:162K  tysemi
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IRLML9301

Product specification IRLML9301TRPbF HEXFET Power MOSFET VDS -30 V VGS Max 20 V G 1 RDS(on) max 64 m 3 D (@VGS = -10V) RDS(on) max S 2 103 m Micro3TM (SOT-23) (@VGS = -4.5V) IRLML9301TRPbF Application(s) System/Load Switch Features and Benefits Benefits Features Low RDS(on) ( 64m ) Lower switching losses Industry-standard pinout Multi-vendor compatibility

 0.3. Size:1536K  cn vbsemi
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IRLML9301

IRLML9301TR www.VBsemi.tw P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A)a Qg (Typ.) 0.046 at VGS = - 10 V - 5.6 0.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC - 30 APPLICATIONS 0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch S TO-236 - DC/DC Converter (SOT

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