IRLML9303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRLML9303
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 39 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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IRLML9303 Datasheet (PDF)
irlml9303trpbf.pdf
PD - 97519BIRLML9303TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 VVGS Max 20 VRDS(on) max 165 m (@VGS = -10V)RDS(on) max 270 m Micro3TM (SOT-23)(@VGS = -4.5V)IRLML9303TRPbFApplication(s)System/Load SwitchFeatures and BenefitsFeatures BenefitsIndustry-standard pinout Multi-vendor compatibilityCompatible with existing Surface Mount Techniques results in Eas
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PD - 97519BIRLML9303TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 VVGS Max 20 VRDS(on) max 165 m (@VGS = -10V)RDS(on) max 270 m Micro3TM (SOT-23)(@VGS = -4.5V)IRLML9303TRPbFApplication(s)System/Load SwitchFeatures and BenefitsFeatures BenefitsIndustry-standard pinout Multi-vendor compatibilityCompatible with existing Surface Mount Techniques results in Eas
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Product specificationIRLML9303TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 VVGS Max 20 VRDS(on) max 165 m (@VGS = -10V)RDS(on) max 270 m Micro3TM (SOT-23)(@VGS = -4.5V)IRLML9303TRPbFApplication(s)System/Load SwitchFeatures and BenefitsFeatures BenefitsIndustry-standard pinout Multi-vendor compatibilityCompatible with existing Surface Mount Techniques resu
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Liste
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