IRLR9343 Todos los transistores

 

IRLR9343 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRLR9343

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm

Encapsulados: DPAK

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IRLR9343 datasheet

 ..1. Size:303K  international rectifier
 irlr9343pbf irlu9343pbf irlu9343-701pbf.pdf pdf_icon

IRLR9343

PD - 95386A DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR9343PbF IRLU9343PbF IRLU9343-701PbF Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS -55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = -10V m 93 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m 150 Efficiency Qg typ. l Low

 ..2. Size:303K  international rectifier
 irlr9343pbf irlu9343pbf.pdf pdf_icon

IRLR9343

PD - 95386A DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR9343PbF IRLU9343PbF IRLU9343-701PbF Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS -55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = -10V m 93 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m 150 Efficiency Qg typ. l Low

 ..3. Size:248K  international rectifier
 irlu9343-701 irlr9343.pdf pdf_icon

IRLR9343

PD - 95850 DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR9343 IRLU9343 IRLU9343-701 Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS -55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = -10V m 93 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m 150 Efficiency Qg typ. l Low Qrr for

 ..4. Size:314K  inchange semiconductor
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IRLR9343

isc P-Channel MOSFET Transistor IRLR9343 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 105m 175 Operating Junction Temperature 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source

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History: SSS2N80A

 

 

 


 
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