IRF6702M2D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF6702M2D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
Encapsulados: DIRECTFET
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IRF6702M2D datasheet
irf6702m2d.pdf
PD - 97540 IRF6702M2DTRPbF IRF6702M2DTR1PbF Applications l Dual Common Drain Control MOSFETs for DirectFET Power MOSFET Multiphase DC-DC Converters Typical values (unless otherwise specified) Features VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Replaces Two discrete high side MOSFETs 30V max 20V max 5.2m @ 10V 8.6m @ 4.5V l Optimized for High Frequency Switching l Low Profile (
irf6706s2trpbf.pdf
PD - 97485 IRF6706S2TRPbF IRF6706S2TR1PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Low Profile (
irf6708s2trpbf.pdf
PD - 96314C IRF6708S2TRPbF IRF6708S2TR1PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Low Profile (
irf6709s2trpbf.pdf
PD - 97328A IRF6709S2TRPbF IRF6709S2TR1PbF DirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Low Profile (
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