IRF8910G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF8910G 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0134 Ohm
Encapsulados: SO8
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IRF8910G datasheet
irf8910gpbf.pdf
PD -96257 IRF8910GPbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, 13.4m @VGS = 10V 20V 10A graphics cards, game consoles and set-top box l Lead-Free 1 l Halogen-Free 8 S1 D1 2 7 G1 D1 Benefits 3 6 S2 D2 l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS 4 5 G2 D2 l Ultra-Low Gate Impedance SO-8 l Fully Characterized Ava
irf8910pbf-1.pdf
IRF8910PbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS 20 V 1 8 S1 D1 RDS(on) max 2 7 13.4 G1 D1 (@V = 10V) GS m 3 6 S2 D2 RDS(on) max 18.3 4 5 (@V = 4.5V) GS G2 D2 Qg (typical) 7.4 nC SO-8 Top View ID 10 A (@T = 25 C) A Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturin
irf8915.pdf
PD -95727A IRF8915PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, 18.3m @VGS = 10V 20V 8.9A graphics cards, game consoles and set-top box l Lead-Free 1 8 S1 D1 2 7 G1 D1 3 6 S2 D2 Benefits 4 5 G2 D2 l Ultra-Low Gate Impedance SO-8 l Very Low RDS(on) Top View l Fully Characterized Avalanche Voltage and
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History: SI7120ADN | AP4034GH
🌐 : EN ES РУ
Liste
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