BSS110 Todos los transistores

 

BSS110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSS110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
 

 Búsqueda de reemplazo de BSS110 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BSS110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  philips
bss110 1.pdf pdf_icon

BSS110

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSS110P-channel enhancement modevertical D-MOS transistor1995 Apr 07Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationP-channel enhancement modeBSS110vertical D-MOS transistorFEATURES Low threshold voltage Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Hi

 ..2. Size:76K  philips
bss110.pdf pdf_icon

BSS110

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSS110P-channel enhancement modevertical D-MOS transistor1995 Apr 07Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationP-channel enhancement modeBSS110vertical D-MOS transistorFEATURES Low threshold voltage Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Hi

 9.1. Size:90K  infineon
bss119.pdf pdf_icon

BSS110

BSS 119SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Enhancement mode VGS(th) = 1.6 ...2.6 VPin 1 Pin 2 Pin 3G S DType VDS ID RDS(on) Package MarkingBSS 119 100 V 0.17 A 6 SOT-23 sSHType Ordering Code Tape and Reel InformationBSS 119 Q67000-S007 E6327Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 100 VVDrain-gate voltageDGRRGS =

 9.2. Size:619K  infineon
bss119n.pdf pdf_icon

BSS110

BSS119NOptiMOS Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 6 W Enhancement modeVGS=4.5 V 10 Logic level (4.5V rated)ID 0.19 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT23 100% lead-free; RoHS compliant; Halogen free3 1 2 Type Package Tape and Reel Information Marking Halogen fre

Otros transistores... BS270 , BSN254 , BSN254A , BSP92 , BSR56 , BSR57 , BSR58 , BSS100 , IRF1407 , BSS123 , BSS123A , BSS138 , BSS84 , BUK100-50DL , BUK100-50GS , BUK101-50DL , BUK101-50GL .

 

 
Back to Top

 


 
.