IRF7756G Todos los transistores

 

IRF7756G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7756G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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IRF7756G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  international rectifier
irf7756gpbf.pdf pdf_icon

IRF7756G

PD- 96153AIRF7756GPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl Dual P-Channel MOSFET -12V 0.040@VGS = -4.5V -4.3Al Very Small SOIC Package0.058@VGS = -2.5V -3.4Al Low Profile (

 7.1. Size:238K  international rectifier
irf7756.pdf pdf_icon

IRF7756G

PD -94159IRF7756HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max ID Dual P-Channel MOSFET -12V 0.040@VGS = -4.5V 4.3A Very Small SOIC Package0.058@VGS = -2.5V 3.4A Low Profile (

 8.1. Size:228K  1
irf7752g.pdf pdf_icon

IRF7756G

PD- 96151AIRF7752GPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel Dual N-Channel MOSFETVDSS RDS(on) max IDl Very Small SOIC Package30V 0.030@VGS = 10V 4.6Al Low Profile (

 8.2. Size:226K  1
irf7750g.pdf pdf_icon

IRF7756G

PD-96144AIRF7750GPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel Dual P-Channel MOSFETl Very Small SOIC PackageVDSS = -20Vl Low Profile (

Otros transistores... IRF7313Q , IRF7910 , IRF7380Q , IRF7341 , IRF7503 , IRF8852 , IRF7103I , IRF7304Q , IRF1407 , IRF7314Q , IRF7329 , IRF7316Q , IRF7306 , IRF7324 , IRF7750G , IRF9358 , IRF5810 .

History: MMBT7002W

 

 
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