IRF7105Q Todos los transistores

 

IRF7105Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7105Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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Principales características: IRF7105Q

 ..1. Size:607K  1
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IRF7105Q

PD - 96102B END OF LIFE IRF7105QPbF HEXFET Power MOSFET N-CHANNEL MOSFET l Advanced Process Technology 1 8 N-Ch P-Ch S1 D1 l Ultra Low On-Resistance 2 7 G1 D1 l Dual N and P Channel MOSFET VDSS 25V -25V l Surface Mount 3 6 S2 D2 l Available in Tape & Reel 4 5 RDS(on) 0.10 0.25 G2 D2 l 150 C Operating Temperature P-CHANNEL MOSFET l Lead-Free Top View ID 3.5A -2.3A

 7.1. Size:609K  international rectifier
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IRF7105Q

IRF7105TRPbF-1 HEXFET Power MOSFET N-CHANNEL MOSFET 1 8 N-CH P-CH S1 D1 VDS 25 -25 V 2 7 G1 D1 RDS(on) max 3 6 0.1 0.25 S2 D2 (@V = 10V) GS 4 5 G2 D2 Qg (typical) 9.4 10 nC P-CHANNEL MOSFET ID 3.5 -2.3 A SO-8 Top View (@T = 25 C) A Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techn

 7.2. Size:224K  international rectifier
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IRF7105Q

PD - 9.1097C IRF7105 HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology N-CHANNEL MOSFET 1 8 N-Ch P-Ch S1 D1 Ultra Low On-Resistance 2 7 Dual N and P Channel Mosfet G1 D1 VDSS 25V -25V Surface Mount 3 6 S2 D2 Available in Tape & Reel 4 5 RDS(on) 0.10 0.25 G2 D2 Dynamic dv/dt Rating P-CHANNEL MOSFET Fast Switching Top View ID 3.5A -2.3A Description Fourth Ge

 7.3. Size:302K  international rectifier
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IRF7105Q

PD - 95164 IRF7105PbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance N-CHANNEL MOSFET 1 8 N-Ch P-Ch S1 D1 l Dual N and P Channel Mosfet 2 7 l Surface Mount G1 D1 VDSS 25V -25V l Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 l Dynamic dv/dt Rating 4 5 RDS(on) 0.10 0.25 G2 D2 l Fast Switching P-CHANNEL MOSFET l Lead-Free Top View ID 3.5A -2.3A

Otros transistores... IRF7506 , IRF7316 , IRF7328 , IRF7754G , IRF7509 , IRF7309 , IRF7105 , IRF7307 , IRLB3034 , IRF7389 , IRF7343I , IRF7343Q , IRF7309I , IRF7379I , IRF7319 , IRF7317 , IRF7379Q .

 

 
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