BUK100-50DL Todos los transistores

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BUK100-50DL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUK100-50DL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 40 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 50 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.125 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUK100-50DL

 

BUK100-50DL Datasheet (PDF)

1.1. buk100-50dl 1.pdf Size:68K _philips

BUK100-50DL
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Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK100-50DL Logic level TOPFET DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Monolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT overload protected logic level power MOSFET in a 3 pin plastic VDS Continuous drain source voltage 50 V envelope, intended as a general ID Continuous drain current 13.5 A purpose switch for automotive PD To

1.2. buk100-50gl.pdf Size:98K _philips

BUK100-50DL
BUK100-50DL

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK100-50GL Logic level TOPFET DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Monolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT overload protected logic level power MOSFET in a 3 pin plastic VDS Continuous drain source voltage 50 V envelope, intended as a general ID Continuous drain current 13.5 A purpose switch for automotive PD To

1.3. buk100-50gs 1.pdf Size:88K _philips

BUK100-50DL
BUK100-50DL

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK100-50GS TOPFET DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Monolithic temperature and SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT overload protected power MOSFET in a 3 pin plastic envelope, intended VDS Continuous drain source voltage 50 V as a general purpose switch for ID Continuous drain current 15 A automotive systems and other PD Total powe

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