AUIRF7303Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AUIRF7303Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 217 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AUIRF7303Q

AUIRF7303Q Datasheet (PDF)

..1. Size:578K 1
auirf7303q.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7303Q VDSS Features 1 8S1 D1 30V Advanced Planar Technology 2 7G1 D1RDS(on) max. Dual N Channel MOSFET 3 6S2 D20.054 Low On-Resistance 5G2 D2ID Logic Level Gate Drive 5.3A Top View Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

6.1. Size:456K 1
auirf7309q.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7309Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8S1 D1 Low On-Resistance 2 7VDSS 30V -30V G1 D1 Logic Level Gate Drive 3 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET RDS(on) max. 0.05 0.1045G2 D2 Dynamic dv/dt Rating P-CHANNEL MOSFET 150C Operating Temperature Top ViewID 4.7A -3.5A

6.2. Size:517K 1
auirf7304q.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7304Q Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology VDSS 1 8 Low On-Resistance S1 D1 -20V 2 7G1 D1 Dual P Channel MOSFET RDS(on) max. 0.0903 6S2 D2 Dynamic dv/dt Rating 4 5ID G2 D2-4.3A Logic Level 150C Operating Temperature Top View Fast Switching Lead-Free, RoHS Compliant

6.3. Size:456K infineon
auirf7309q.pdf

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