AUIRF7303Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AUIRF7303Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 217 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Encapsulados: SO8
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AUIRF7303Q datasheet
auirf7309q.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7309Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8 S1 D1 Low On-Resistance 2 7 VDSS 30V -30V G1 D1 Logic Level Gate Drive 3 6 S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET RDS(on) max. 0.05 0.10 4 5 G2 D2 Dynamic dv/dt Rating P-CHANNEL MOSFET 150 C Operating Temperature Top View ID 4.7A -3.5A
auirf7309q.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7309Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8 S1 D1 Low On-Resistance 2 7 VDSS 30V -30V G1 D1 Logic Level Gate Drive 3 6 S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET RDS(on) max. 0.05 0.10 4 5 G2 D2 Dynamic dv/dt Rating P-CHANNEL MOSFET 150 C Operating Temperature Top View ID 4.7A -3.5A
Otros transistores... IRF7507 , IRF7307Q , IRF7343 , IRF7379 , IRF9952Q , AUIRF7319Q , AUIRF7316Q , AUIRF7342Q , 20N60 , AUIRF7103Q , AUIRF7304Q , AUIRF7379Q , AUIRF7341Q , AUIRF7309Q , AUIRF7343Q , AUIRF9952Q , 2SJ168 .
History: 2SK1444LS | WMN15N65F2
History: 2SK1444LS | WMN15N65F2
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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