AUIRF7103Q Todos los transistores

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AUIRF7103Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUIRF7103Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.4 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 50 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.13 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO8

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AUIRF7103Q Datasheet (PDF)

5.1. auirf5210s.pdf Size:236K _international_rectifier

AUIRF7103Q
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AUTOMOTIVE GRADE AUIRF5210S Features HEXFET® Power MOSFET l Advanced Planar Technology l P-Channel MOSFET D V(BR)DSS -100V l Low On-Resistance l Dynamic dV/dT Rating RDS(on) max. 60m G l 175°C Operating Temperature S ID -38A l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D l Lead-Free, RoHS Compliant l Automotive Qualified * Desc

Otros transistores... IRF7307Q , IRF7343 , IRF7379 , IRF9952Q , AUIRF7319Q , AUIRF7316Q , AUIRF7342Q , AUIRF7303Q , BS170 , AUIRF7304Q , AUIRF7379Q , AUIRF7341Q , AUIRF7309Q , AUIRF7343Q , AUIRF9952Q , 2SJ168 , 2SJ305 .

 


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