2SK2033 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK2033
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.3 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
Encapsulados: SOT346 SC59 SMINI
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2SK2033 datasheet
2sk2033.pdf
2SK2033 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK2033 High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications High input impedance. Low gate threshold voltage V = 0.5 1.5 V th Excellent switching times t = 0.16 s (typ.) on t = 0.15 s (typ.) off Small package. Enhancement-mode Marking Equivalent Circuit JED
2sk2033.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET 2SK2033 SOT-23 Unit mm 2.9+0.1 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) = 20V ID = 100mA 1 2 +0.1 RDS(ON) 12 (VGS = 2.5V) +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 Low threshold voltage Vth = 0.5 1.5 V 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source
2sk2033-3.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET 2SK2033 SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) = 20V ID = 100mA 1 2 RDS(ON) 12 (VGS = 2.5V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9 -0.2 Low threshold voltage Vth = 0.5 1.5 V 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sou
2sk2036.pdf
2SK2036 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK2036 High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switching Applications High input impedance. Low gate threshold voltage V = 0.5 1.5 V th Excellent switching times t = 0.28 s (typ.) on t = 0.34 s (typ.) off Small package Enhancement-mode Marking Equivalent Circuit J
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