SSM3K36TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM3K36TU
   Código: NX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 1.23 nC
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 10.8 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.63 Ohm
   Paquete / Cubierta: UFM

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM3K36TU

SSM3K36TU Datasheet (PDF)

..1. Size:195K toshiba
ssm3k36tu.pdf

SSM3K36TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM3K36TU High-Speed Switching Applications Unit: mm 1.5-V drive Low ON-resistance: Ron = 1.52 (max) (@VGS = 1.5 V) 2.10.1: Ron = 1.14 (max) (@VGS = 1.8 V) 1.70.1: Ron = 0.85 (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 0.66 (max) (@VGS = 4.5 V) 1: Ron = 0.63 (max) (@VGS = 5.0 V) 3

7.1. Size:190K toshiba
ssm3k36fs.pdf

SSM3K36FS TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K36FS High-Speed Switching Applications Unit: mm 1.5-V drive Low ON-resistance : Ron = 1.52 (max) (@VGS = 1.5 V) : Ron = 1.14 (max) (@VGS = 1.8 V) : Ron = 0.85 (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 0.66 (max) (@VGS = 4.5 V) : Ron = 0.63 (max) (@VGS = 5.0 V) Absolute Maximum Rati

7.2. Size:233K toshiba
ssm3k361r.pdf

SSM3K361RMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)SSM3K361R1. Applications Power Management Switches DC-DC Converters2. Features(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)(2) 175 MOSFET(3) 4.5 V drive(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 65 m (typ.) (@VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 51 m (typ.) (@VGS = 10 V)3. Packaging and Pin As

7.3. Size:215K toshiba
ssm3k36mfv.pdf

SSM3K36MFV TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM3K36MFV High-Speed Switching Applications Unit: mm 1.5-V drive 1.20.05 Low ON-resistance: Ron = 1.52 (max) (@VGS = 1.5 V) 0.80.05: Ron = 1.14 (max) (@VGS = 1.8 V) : Ron = 0.85 (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 0.66 (max) (@VGS = 4.5 V) 1: Ron = 0.63 (max) (@VGS = 5.0 V)

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: