SSM3K43FS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM3K43FS
   Código: NS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.23 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.63 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT416 SC75 SSM

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM3K43FS

SSM3K43FS Datasheet (PDF)

..1. Size:191K toshiba
ssm3k43fs.pdf

SSM3K43FS TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K43FS High-Speed Switching Applications Unit: mm 1.5-V drive Low ON-resistance : Ron = 1.52 (max) (@VGS = 1.5V) : Ron = 1.14 (max) (@VGS = 1.8V) : Ron = 0.85 (max) (@VGS = 2.5V) : Ron = 0.66 (max) (@VGS = 4.5V) : Ron = 0.63 (max) (@VGS = 5.0V) Absolute Maximum Ratings (

8.1. Size:133K toshiba
ssm3k44mfv.pdf

SSM3K44MFV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K44MFV High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm1.20.05 Compact package suitable for high-density mounting 0.80.05 Low ON-resistance : RDS(ON) = 4.0 (max) (@VGS = 4 V) : RDS(ON) = 7.0 (max) (@VGS = 2.5 V) 1Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) 3Chara

8.2. Size:197K toshiba
ssm3k48fu.pdf

SSM3K48FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) SSM3K48FU Load Switching Applications Unit: mm 2.5-V drive Low ON-resistance: RDS(ON) = 3.2 (max) (@VGS = 4.0 V) RDS(ON) = 5.4 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDSS 30 VGate-Source voltage VGSS 20 V

8.3. Size:152K toshiba
ssm3k44fs.pdf

SSM3K44FS TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K44FS High Speed Switching Applications Unit: mmAnalog Switching Applications Compact package suitable for high-density mounting Low ON-resistance : RDS(ON) = 4.0 (max) (@VGS = 4 V) : RDS(ON) = 7.0 (max) (@VGS = 2.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating U

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Liste

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