2N6796JANTX Todos los transistores

 

2N6796JANTX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6796JANTX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO205AF

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N6796JANTX

 

2N6796JANTX Datasheet (PDF)

 8.1. Size:145K  international rectifier
2n6796u irfe130.pdf

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Provisional Data Sheet No. PD - 9.1666AIRFE130REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6796UHEXFET TRANSISTOR JANTXV2N6796U[REF:MIL-PRF-19500/557]N-CHANNEL 100Volt, 0.18 Product Summary, HEXFETThe leadless chip carrier (LCC) package representsPart Number BVDSS RDS(on) IDthe logical next step in the continual evolution ofIRFE130 100V 0.18 8.0A

 8.2. Size:66K  omnirel
2n6796 2n6798 2n6800 2n6802.pdf

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2N6796, JANTX2N6796 JANTXV2N6796 2N6800, JANTX2N6800, JANTXV2N68002N6798, JANTX2N6798 JANTXV2N6798 2N6802, JANTX2N6802, JANTXV2N6802JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-205 AF PACKAGE,QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/557100 V, 200 V, 400 V & 500 V, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power TransistorFEATURESLow RDS(on)Ease of ParallelingQualified to MIL-PRF-19500/557DESCRIPTIO

 8.3. Size:15K  semelab
2n6796lcc4.pdf

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2N6796LCC4MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)N-CHANNEL9.14 (0.360)1.27 (0.050) 8.64 (0.340) POWER MOSFET1.07 (0.040) 2.16 (0.085)12 13 14 15 161.39 (0.055)1.02 (0.040)11 1710 187.62 (0.300) VDSS = 100V7.12 (0.280)9 10.76 (0.030)8 20.51 (0.020) ID = 7.4A0.33 (0.013)Rad. RDS(ON) = 0.180.08 (0.003)7 6 5 4 30.43 (0.017)Rad.1.39 (0.05

 8.4. Size:18K  semelab
2n6796.pdf

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2N6796MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)TMOS FET TRANSISTOR N CHANNEL FEATURES VDSS = 100V ID = 8A ! RDSON = 0.18

 8.5. Size:177K  microsemi
2n6796u.pdf

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TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 DEVICES LEVELS 2N6796 2N6796U JANJANTXJANTXVABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25C un

Otros transistores... 2N6794 , 2N6794JANT , 2N6794JANTX , 2N6794JANTXV , 2N6794SM , 2N6795 , 2N6795-SM , 2N6796 , 2SK3568 , 2N6796JANTXV , 2N6796SM , 2N6797 , 2N6797LCC4 , 2N6797-SM , 2N6798 , 2N6798JANTX , 2N6798JANTXV .

 

 
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