SSM6P41FE Todos los transistores

 

SSM6P41FE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM6P41FE
   Código: PP3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.72 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.76 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT563 ES6
     - Selección de transistores por parámetros

 

SSM6P41FE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  toshiba
 ssm6p41fe.pdf pdf_icon

SSM6P41FE

SSM6P41FE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOS-V) SSM6P41FE Power Management Switches 1.5-V drive Low on-resistance : RDS(ON) = 1.04 (max) (@VGS = -1.5 V) Unit: mm: RDS(ON) = 0.67 (max) (@VGS = -1.8 V) 1.60.05: RDS(ON) = 0.44 (max) (@VGS = -2.5 V) 1.20.05: RDS(ON) = 0.30 (max) (@VGS = -4.5 V) 1 6Absolute Maximum R

 8.1. Size:179K  toshiba
 ssm6p47nu.pdf pdf_icon

SSM6P41FE

SSM6P47NU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOS VI) SSM6P47NU Power Management Switch Applications Unit: mm2.00.1B 1.5V drive A Low ON-resistance:RDS(on) = 242 m (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(on) = 170 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(on) = 125 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(on) = 95 m (max) (@VGS = -4.5 V) 00.05Absolute Maximum

 8.2. Size:170K  toshiba
 ssm6p49nu.pdf pdf_icon

SSM6P41FE

SSM6P49NU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM6P49NU Power Management Switch Applications Unit: mm2.00.1B 1.8V drive A Low ON-resistance: RDS(on) = 157 m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(on) = 76 m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(on) = 56 m (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(on) = 45 m (max) (@VGS = -10V) 00.05Absolute Maximum Ratings (Ta =

 8.3. Size:184K  toshiba
 ssm6p40tu.pdf pdf_icon

SSM6P41FE

SSM6P40TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM6P40TU Power Management Switch Applications Unit: mm2.10.1 High-Speed Switching Applications 1.70.1 4.0 V drive P-ch, 2-in-1 1 6 Low ON-resistance: Ron = 403m (max) (@VGS = 4 V) 2 5Ron = 226m (max) (@VGS = 10 V) 3 4Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1,Q2 C

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NDS336P

 

 
Back to Top

 


 
.