TK10A60D Todos los transistores

 

TK10A60D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK10A60D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220SIS
 

 Búsqueda de reemplazo de TK10A60D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TK10A60D datasheet

 ..1. Size:248K  toshiba
tk10a60d.pdf pdf_icon

TK10A60D

TK10A60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS VII) TK10A60D Unit mm Switching Regulator Applications Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.58 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) A... See More ⇒

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
tk10a60d.pdf pdf_icon

TK10A60D

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK10A60D ITK10A60D FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.58 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS... See More ⇒

 0.1. Size:245K  toshiba
tk10a60d5.pdf pdf_icon

TK10A60D

TK10A60D5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK10A60D5 TK10A60D5 TK10A60D5 TK10A60D5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trrf = 50 ns (typ.), trr = 90 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.8 (typ.) (3) High f... See More ⇒

 0.2. Size:252K  inchange semiconductor
tk10a60d5.pdf pdf_icon

TK10A60D

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK10A60D5 ITK10A60D5 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) = 0.8 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.5 to 4.5V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATING... See More ⇒

Otros transistores... TJ60S06M3L , TJ70A06J3 , TJ80S04M3L , TJ8S06M3L , TK100F04K3 , TK100F06K3 , TK10A50D , TK10A55D , 7N60 , TK10S04K3L , TK10X40D , TK11A45D , TK11A50D , TK11A55D , TK11A60D , TK11A65D , TK12A10K3 .

 

 
Back to Top

 


TK10A60D  TK10A60D  TK10A60D 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AP75N04K | AP70P03K | AP70N100K | AP6900 | AP6802 | AP6800 | AP6242 | AP60P20K | AP60N04Q | AP6009S | AP6007S | AP5N50K | AP5N20K | AP5N10S | AP5N10M | AP50P20Q

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet

 


 
.