TK12J60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK12J60U
Código: K12J60U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 144 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 14 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1700 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: SC65 TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK12J60U
TK12J60U Datasheet (PDF)
tk12j60u.pdf
TK12J60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK12J60U Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.36 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 5.0 V
tk12j60w.pdf
TK12J60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK12J60WTK12J60WTK12J60WTK12J60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E
tk12j55d.pdf
TK12J55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK12J55D Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.48 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VD
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