TK150F04K3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK150F04K3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm

Encapsulados: TO220SM

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TK150F04K3 datasheet

 ..1. Size:212K  toshiba
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TK150F04K3

TK150F04K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIV) TK150F04K3 Swiching Regulator, DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 1.7m (typ.) 10.0 0.3 High forward transfer admittance Yfs = 210 S (typ.) 0.4 0.1 9.5 0.2 Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS

 9.1. Size:922K  toshiba
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TK150F04K3

TK150E09NE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS -H) TK150E09NE Unit mm 10.2 0.3 3.7 0.1 1.27 0.1 E-Bike A Low drain-source ON resistance R = 3.6 m (typ.) (V = 10 V) DS (ON) GS Low leakage current I = 10 A (max) (V = 85 V) DSS DS Enhancement mode V = 2.5 4.5 V (V = 10 V, I = 1.0 mA) th DS D Absolute Maximum Ratin

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TK150F04K3

IXTK 150N15P PolarHTTM VDSS = 150 V IXTQ 150N15P Power MOSFET ID25 = 150 A RDS(on) 13 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 V G D (TAB) VGS Continuous 20 V D S VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25

Otros transistores... TK13A65D, TK13A65U, TK13E25D, TK13J65U, TK13P25D, TK14A45DA, TK14A45D, TK14A55D, IRF3710, TK15A20D, TK15A50D, TK15A60D, TK15A60U, TK15E60U, TK15J50D, TK15J60U, TK15X60U