BUK456-100A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUK456-100A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.057 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de BUK456-100A MOSFET
BUK456-100A Datasheet (PDF)
buk456-100a-b 2.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK456-100A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK456 -100A -100BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 100 100 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 34 32 A(SMPS),
buk456-100b.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK456-100A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK456 -100A -100BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 100 100 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 34 32 A(SMPS),
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isc N-Channel MOSFET Transistor BUK456-100A/BDESCRIPTIONDrain Source Voltage-: V =100V(Min)DSSLow RDS(ON)Fast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switched Mode Power Supplies (SMPS),motor control,welding, and in general purpose switchingresistance applicationABSOLUTE MAXIMU
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Liste
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