TPCA8011-H MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

TPCA8011-H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPCA8011-H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: SOP-ADVANCE

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TPCA8011-H datasheet

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TPCA8011-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (Ultra-High-speed U-MOSIII) TPCA8011-H High Efficiency DC DC Converter Applications Unit mm Notebook PC Applications 0.4 0.1 1.27 0.5 0.1 0.05 M A 8 5 Portable-Equipment Applications 0.15 0.05 Small footprint due to a small and thin package High speed switching 4 1 0.595 Small gate

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TPCA8019-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS -H) TPCA8019-H High-Efficiency DC/DC Converter Applications Unit mm Notebook PC Applications 0.4 0.1 1.27 0.5 0.1 0.05 M A 8 5 Portable Equipment Applications 0.15 0.05 Small footprint due to a small and thin package High-speed switching 4 1 0.595 Small gate charge QSW = 15

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TPCA8015-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOSIII) TPCA8015-H High-Efficiency DC-DC Converter Applications Unit mm 1.27 0.4 0.1 8 0.05 M A 5 Small footprint due to a small and thin package 0.15 0.05 High-speed switching Small gate charge QSW = 13 nC (typ.) 4 0.595 1 Low drain-source ON-resistance

7.3. Size:287K toshiba
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