TPCA8088 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

TPCA8088 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPCA8088

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm

Encapsulados: SOP-ADVANCE

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TPCA8088 datasheet

..1. Size:228K toshiba
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TPCA8088 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS ) TPCA8088 TPCA8088 TPCA8088 TPCA8088 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Notebook PCs Mobile Handsets 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small footprint due to a small and thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.7 m (typ.) (VGS = 10 V) (3) Low leakage c

7.1. Size:233K toshiba
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TPCA8083 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TPCA8083 TPCA8083 TPCA8083 TPCA8083 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.6 m (typ.) (VGS = 10 V) (3) Low leakage current IDSS =

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TPCA8087 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS ) TPCA8087 TPCA8087 TPCA8087 TPCA8087 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Notebook PCs Mobile Handsets 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small footprint due to a small and thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.5 m (typ.) (VGS = 10 V) (3) Low leakage c

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TPCA8086 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TPCA8086 TPCA8086 TPCA8086 TPCA8086 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 9.0 m (typ.) (VGS = 10 V) (3) Low leakage current IDSS =

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