TPCA8120 Todos los transistores

 

TPCA8120 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TPCA8120
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-ADVANCE
 

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TPCA8120 Datasheet (PDF)

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TPCA8120

TPCA8120MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TPCA8120TPCA8120TPCA8120TPCA81201. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Lithium-Ion Secondary Batteries Power Management Switches2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small footprint due to a small and thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.4 m (typ.) (V

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TPCA8120

TPCA8124MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TPCA8124TPCA8124TPCA8124TPCA81241. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.1 m (typ.) (VGS = -10 V)(3) Low leakage current: IDSS

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TPCA8120

TPCA8125MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TPCA8125TPCA8125TPCA8125TPCA81251. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 19.6 m (typ.) (VGS = -10 V)(3) Low leakage current: IDSS

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TPCA8120

TPCA8123MOSFET PMOS (U-MOS)TPCA8123TPCA8123TPCA8123TPCA81231. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) , (2) : RDS(ON) = 8.5 m () (VGS = -10 V)(3)

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History: AP9922GEO-HF | CEUF634

 

 
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