TPCA8128 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPCA8128

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm

Encapsulados: SOP-ADVANCE

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TPCA8128 datasheet

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TPCA8128

TPCA8128 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS ) TPCA8128 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Power Management Switch Applications 1.27 0.4 0.1 8 0.05 M A 5 Small footprint due to compact and slim package Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 3.7 m (typ.) 0.15 0.05 Low leakage current IDSS = -10 A (max) (

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TPCA8128

TPCA8124 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TPCA8124 TPCA8124 TPCA8124 TPCA8124 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 8.1 m (typ.) (VGS = -10 V) (3) Low leakage current IDSS

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TPCA8128

TPCA8125 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TPCA8125 TPCA8125 TPCA8125 TPCA8125 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small, thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 19.6 m (typ.) (VGS = -10 V) (3) Low leakage current IDSS

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TPCA8128

TPCA8123 MOSFET P MOS (U-MOS ) TPCA8123 TPCA8123 TPCA8123 TPCA8123 1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) , (2) RDS(ON) = 8.5 m ( ) (VGS = -10 V) (3)

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