2SJ201 Todos los transistores

 

2SJ201 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ201

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO3P

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2SJ201 datasheet

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2SJ201

2SJ201 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ201 High-Power Amplifier Application Unit mm High breakdown voltage VDSS = -200 V High forward transfer admittance Yfs = 5.0 S (typ.) Complementary to 2SK1530 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDSS -200 V JEDEC Gate-source voltag

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2SJ201

2SJ200 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ200 High Power Amplifier Application Unit mm High breakdown voltage VDSS = -180 V High forward transfer admittance Y = 4.0 S (typ.) fs Complementary to 2SK1529 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDSS -180 V Gate-source voltage VGSS 20 V Dr

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2SJ201

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2SJ201

Otros transistores... TPCP8306 , TPCP8401 , TPCP8404 , TPCP8405 , TPCP8406 , TPCP8A05-H , TPCP8J01 , 2SJ200 , 7N65 , 2SJ304 , 2SJ312 , 2SJ313 , 2SJ315 , 2SJ334 , 2SJ338 , 2SJ349 , 2SJ377 .

 

 

 

 

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