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2SK2741 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK2741
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: SP
 

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2SK2741 Datasheet (PDF)

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2SK2741

2SK2741 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L --MOSV) 2SK2741 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.12 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 5.0 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (V = 60 V) DS Enhancem

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2SK2741

2SK2742 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L --MOSV) 2SK2742 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 0.28 (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 3.5 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (V = 100 V) DS Enhance

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2SK2741

2SK2745 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L --MOSV) 2SK2745 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 7.0 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 50 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (V = 50 V) DS Enhanceme

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2SK2741

2SK2746 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIII) 2SK2746 DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 1.3 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 5.0 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 640 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V (V = 10 V, I = 1

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History: GP1M010A080N | 2SK2782 | STP120NF10 | TSM3454CX6 | CS3N50DU | WSP08N10 | RU30E4B

 

 
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