TK15D60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK15D60U
   Código: K15D60U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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TK15D60U Datasheet (PDF)

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tk15d60u.pdf

TK15D60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK15D60U Switching Regulator Applications Unit: mm10.00.3 A 9.50.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.24 (typ.) 0.60.1 3.650.2 High forward transfer admittance: Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement

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Liste

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