TK15D60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK15D60U
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de TK15D60U MOSFET
TK15D60U Datasheet (PDF)
tk15d60u.pdf

TK15D60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK15D60U Switching Regulator Applications Unit: mm10.00.3 A 9.50.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.24 (typ.) 0.60.1 3.650.2 High forward transfer admittance: Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement
Otros transistores... 2SK4114 , TJ120F06J3 , TK07H90A , TK09H90A , TK100F04K3L , TK12D60U , TK13H90A1 , TK150F04K3L , 20N50 , TK15H50C , TK15J60T , TK16H60C , TK17A25D , TK19H50C , TK20A20D , TK20A60T , TK20D60T .
History: BCS4N10 | SM1F04NSF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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