TPC6201 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPC6201
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
Paquete / Cubierta: VS6
Búsqueda de reemplazo de TPC6201 MOSFET
TPC6201 Datasheet (PDF)
tpc6201.pdf

TPC6201 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) TPC6201 HDD Motor Drive Applications Unit: mmNotebook PC Applications Portable Equipment Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 80 m (typ.) High forward transfer admittance: |Y | = 3.8 S (typ.) fs Low leakage current: I = 10 A (max) (V = 30 V) DSS DS Enhancem
Otros transistores... TPC6007-H , TPC6101 , TPC6102 , TPC6104 , TPC6105 , TPC6106 , TPC6107 , TPC6108 , HY1906P , TPC8001 , TPC8003 , TPC8004 , TPC8006-H , TPC8009-H , TPC8010-H , TPC8012-H , TPC8013-H .
History: JCS9N50CC | HFR1N60 | HYG045N03LA1C1 | SD2932 | TPC6113 | 2SJ655 | MTE8D0N08H8
History: JCS9N50CC | HFR1N60 | HYG045N03LA1C1 | SD2932 | TPC6113 | 2SJ655 | MTE8D0N08H8



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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