TPC6201 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TPC6201
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
Paquete / Cubierta: VS6
Búsqueda de reemplazo de TPC6201 MOSFET
TPC6201 Datasheet (PDF)
tpc6201.pdf

TPC6201 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) TPC6201 HDD Motor Drive Applications Unit: mmNotebook PC Applications Portable Equipment Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 80 m (typ.) High forward transfer admittance: |Y | = 3.8 S (typ.) fs Low leakage current: I = 10 A (max) (V = 30 V) DSS DS Enhancem
Otros transistores... TPC6007-H , TPC6101 , TPC6102 , TPC6104 , TPC6105 , TPC6106 , TPC6107 , TPC6108 , HY1906P , TPC8001 , TPC8003 , TPC8004 , TPC8006-H , TPC8009-H , TPC8010-H , TPC8012-H , TPC8013-H .
History: 2SK4112 | HYG110P04LQ2C2 | ALD1106DB | AM110P08-11B | STK0760P | HFR1N60 | STD12NM50ND
History: 2SK4112 | HYG110P04LQ2C2 | ALD1106DB | AM110P08-11B | STK0760P | HFR1N60 | STD12NM50ND



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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