TPC8031-H Todos los transistores

 

TPC8031-H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TPC8031-H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 303 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0133 Ohm

Encapsulados: SOP8

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TPC8031-H datasheet

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TPC8031-H

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TPC8031-H

TPC8033-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS -H) TPC8033-H High Efficiency DC/DC Converter Applications Unit mm Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Small footprint due to small and thin package High-speed switching Small gate charge QSW = 9.6 nC (typ.) Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 4.0 m (

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TPC8031-H

TPC8037-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS -H) TPC8037-H High-Efficiency DC-DC Converter Applications Unit mm Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Small footprint due to a small and thin package High-speed switching Small gate charge QSW = 5.0 nC (typ.) Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 7.6 m

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